机译:1550 nm埋藏条纹结构的E逝混合InGaAsP-Si激光器
机译:通过粘合剂键合的硅集成混合腔850 nm VCSEL:键合界面厚度对激光性能的影响
机译:基于金属键合的电泵浦室温脉冲InGaAsP-Si混合激光器
机译:III-V直接和聚合物键合到绝缘体上的已加工绝缘体上的硅,用于混合硅Silicon逝性激光器的制造
机译:高相干混合Si / III-V半导体激光器。
机译:基于混合Si / III-V平台中集成高Q谐振器的高相干半导体激光器
机译:基于DVs-BCB键合的渐逝耦合混合III-V /硅激光器
机译:III-V半导体量子阱激光器及相关光电器件(Onsilicon)。氧化物定义的半导体量子阱激光器和光电器件:al基III-V天然氧化物